[发明专利]半导体晶圆在审
| 申请号： | 201811352302.X | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786214A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 许耀文;高境鸿;王柏仁;蔡宗翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体晶圆和一种半导体晶圆制造方法。该晶圆包括支撑基材、半导体基材和接触层。支撑基材具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体基材设置在支撑基材的第一表面上，其中半导体基材是配置以形成多个元件。接触层设置在支撑基材的第二表面上以接触支撑基材，其中接触层是配置以接触静电吸盘，且接触层的电阻率小于支撑基材的电阻率。在半导体晶圆制造方法中，首先提供原始晶圆。随后，通过使用植入操作或沉积操作形成接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑基材 接触层 半导体晶圆 半导体基材 第一表面 第二表面 电阻率 晶圆 静电吸盘 植入 沉积 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆，其特征在于包括：一支撑基材，具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面；一半导体基材，设置在该支撑基材的该第一表面上，其中该半导体基材是配置以形成多个元件；以及一接触层，设置在该支撑基材的该第二表面上并与该支撑基材的该第二表面接触，其中该接触层是配置以接触一静电吸盘，并且该接触层的电阻率小于该支撑基材的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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