[发明专利]发光二极管阵列

摘要

本发明涉及一种晶圆级发光二极管(LED)阵列。根据一个实施例的LED阵列包括：生长基板；多个LED，布置在基板上，每个LED具有第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个上电极，布置在所述多个LED上，由相同的材料形成，并且分别电连接到相应的LED的第一半导体层；第一焊盘和第二焊盘，布置在上电极上。一个或多个上电极电连接到相邻的LED的第二半导体层，其中，上电极中的其它上电极与相邻的LED的第二半导体层绝缘，LED通过上电极串联连接，第一焊盘电连接到串联连接的LED之中的输入LED，第二焊盘电连接到串联连接的LED之中的输出LED。因此，可提供可用高电压驱动的倒装芯片型LED。

主权项

1.一种发光二极管阵列，包括：基板；第一发光二极管至第四发光二极管，分别包括形成在所述基板上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一上电极，形成在所述第一发光二极管的所述第二半导体层上且电连接到所述第一发光二极管的所述第一半导体层和所述第二发光二极管的所述第二半导体层；第二上电极，形成在所述第二发光二极管的第二半导体层上，电连接到所述第二发光二极管的所述第一半导体层和所述第三发光二极管的所述第二半导体层且与所述第一发光二极管的第二半导体层绝缘；第三上电极，形成在所述第三发光二极管的第二半导体层上，电连接到所述第三半导体层的所述第一半导体层和所述第四发光二极管的所述第二半导体层且与所述第二发光二极管的所述第二半导体层绝缘；绝缘层，覆盖所述第一发光二极管至第四发光二极管；第一焊盘，形成为在所述绝缘层上跨过所述第一发光二极管和所述第二发光二极管；第二焊盘，形成为在所述绝缘层上跨过所述第三发光二极管和所述第四发光二极管，其中，所述第一发光二极管至所述第四发光二极管形成为相隔以暴露所述基板，所述第一发光二极管至所述第四发光二极管具有以所述暴露的基板为中心相互面对的侧面，所述第二上电极具有突出部，所述突出部形成为电连接到所述第三发光二极管的第二半导体层且覆盖所述暴露的基板以及所述第二发光二极管和所述第三发光二极管的至少一部分，所述第三上电极具有槽部。