[发明专利]X射线探测单元、探测器及探测系统有效
申请号: | 201811345584.0 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109524428B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 金利波 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种X射线探测单元、探测器及探测系统,X射线探测单元包括:首尾相接形成闭合区域的转换材料层、光电二极管像素及反射层,转换材料层的面积大于光电二极管像素的面积。若干X射线探测单元一维线阵排布形成X射线探测器。X射线探测器,射线源及传送装置构成X射线探测系统,X射线探测器与射线源相对设置,传送装置设置于X射线探测器及所述射线源之间;通过传送装置的移动,X射线探测器对被检测物进行多次一维检测,进而获得检测物的二维检测图像。本发明将转换材料层及光电二极管像素设置在不同维度,以此避免光电二极管像素面积对转换材料层面积的影响,通过增大转换材料层面积提高转换效率同时提高信噪比。 | ||
搜索关键词: | 射线 探测 单元 探测器 系统 | ||
【主权项】:
1.一种X射线探测单元,其特征在于,所述X射线探测单元至少包括:转换材料层、光电二极管像素及反射层;其中,所述转换材料层、所述光电二极管像素及所述反射层首尾相接,形成闭合区域,且所述转换材料层的面积大于所述光电二极管像素的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的