[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811328292.6 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111162115B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 萧逸璿 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，其包括基底、第一阱区、源极区、漏极区、隔离结构、栅极结构以及顶掺杂区。第一阱区设置于基底中。源极区与漏极区设置于基底中，且漏极区位于所述第一阱区中。隔离结构设置于源极区与漏极区之间。栅极结构设置于源极区与漏极区之间的基底上，且栅极结构覆盖部分的隔离结构。顶掺杂区设置于隔离结构下方的第一阱区中。源极区与漏极区之间包括多个直线区域以及多个转弯区域。在多个转弯区域中，顶掺杂区的与基底的表面相对的截面包括多个特定宽度。多个特定宽度的最大宽度小于或等于6μm。本发明另外提供一种半导体元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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