[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201811325849.0 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN109755264A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 郑庆鸿;张凯峯 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器包括感光元件、存储元件及驱动电路。存储元件相邻于感光元件且包括存储节点、栅极介电层、存储栅极电极、刻蚀终止层、屏蔽层、以及保护层。栅极介电层位于存储节点上。存储栅极电极位于栅极介电层上。刻蚀终止层覆盖栅极介电层及存储栅极电极。屏蔽层位于存储栅极电极上。保护层夹置在刻蚀终止层与屏蔽层之间。驱动电路与存储元件相邻。 | ||
搜索关键词: | 栅极介电层 存储栅极 电极 刻蚀终止层 存储元件 屏蔽层 图像传感器 存储节点 感光元件 驱动电路 保护层 夹置 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:感光元件;存储元件,与所述感光元件相邻,且包括:存储节点;栅极介电层,位于所述存储节点上;存储栅极电极,位于所述栅极介电层上;刻蚀终止层,覆盖所述栅极介电层及所述存储栅极电极;屏蔽层,位于所述存储栅极电极上;以及保护层,夹置在所述刻蚀终止层与所述屏蔽层之间;以及驱动电路,与所述存储元件相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的