[发明专利]图像传感器

说明书

一种图像传感器包括感光元件、存储元件及驱动电路。存储元件相邻于感光元件且包括存储节点、栅极介电层、存储栅极电极、刻蚀终止层、屏蔽层、以及保护层。栅极介电层位于存储节点上。存储栅极电极位于栅极介电层上。刻蚀终止层覆盖栅极介电层及存储栅极电极。屏蔽层位于存储栅极电极上。保护层夹置在刻蚀终止层与屏蔽层之间。驱动电路与存储元件相邻。

技术领域

本发明实施例涉及一种图像传感器。更具体来说，本发明实施例涉及一种具有保护层的图像传感器。

背景技术

为了拍摄快速移动的物体，优选为使用具有全局快门(global shutter)的图像传感器。全局快门常常通过在除了光电二极管(photodiode)及读出电路系统(readoutcircuitry)以外还在图像传感器阵列的每一像素内置放存储元件来实现。存储元件被配置成暂时存储光生电荷(photo-generated charge)，由此使得图像传感器阵列的每一行能够在同一时间开始曝光。

发明内容

一种图像传感器包括感光元件、存储元件、及驱动电路。所述存储元件与所述感光元件相邻。所述存储元件包括存储节点、栅极介电层、存储栅极电极、刻蚀终止层、屏蔽层、及保护层。所述栅极介电层位于所述存储节点上。所述存储栅极电极位于所述栅极介电层上。所述刻蚀终止层覆盖所述栅极介电层及所述存储栅极电极。所述屏蔽层位于所述存储栅极电极上。所述保护层夹置在所述刻蚀终止层与所述屏蔽层之间。所述驱动电路与所述存储元件相邻。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是示出根据本公开一些实施例的图像传感器的示意图。

图2是图1所示的存储元件的示意性俯视图。

图3A到图3O是示出在存储元件的制造方法中的各种阶段沿图2所示的线A-A’的示意性剖视图。

图4是存储元件沿图2所示的线B-B’的示意性剖视图。

附图标号说明

10：图像传感器

100：衬底

102a、102b：第一掺杂区

104a、104b：第二掺杂区

110：存储节点

200：栅极介电层

300：刻蚀终止层

400：介电层

402、402a、402b：第一介电层

404：第二介电层

500、500a：终止层

600：保护材料层

600a：保护层

700：屏蔽材料层

700a：屏蔽层

800：导电接触件

900：内连结构

902：内连导电图案

904：内连介电层

B_700a：底表面

DC：驱动电路

FD：浮动扩散区

OP1：开口