[发明专利]半导体存储器在审
| 申请号： | 201811325774.6 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111161770A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 冀康灵;尚为兵 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G06F7/58 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 陈建焕;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体存储器，包括：存储阵列；行地址处理单元，用于输出行地址；块地址处理单元，用于输出块地址；列地址处理单元，用于输出列地址；映射因子生成单元，用于产生映射因子，所述映射因子生成单元的输出端连接于所述行地址处理单元的输出端、所述块地址处理单元的输出端和所述列地址处理单元的输出端中的至少一个，以及所述映射因子生成单元的输出端还连接于所述存储阵列；其中，所述存储阵列接收所述映射因子与所述行地址、所述块地址和所述列地址的至少一个进行逻辑处理之后的结果。本发明实施例的技术方案可以提高存储器的安全性、寿命和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
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