[发明专利]灵敏放大器和半导体存储器在审
申请号: | 201811313190.7 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN111145799A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 朱家国;杨英琦 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/12 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 陈建焕;武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种灵敏放大器和半导体存储器,其中,灵敏放大器包括:锁存器,具有第一输入输出端和第二输入输出端;第一驱动晶体管,第一驱动晶体管的栅极用于连接半导体存储器的放大使能信号线,第一驱动晶体管的通道第一端连接第二输入输出端,以及第一驱动晶体管的通道第二端用于连接半导体存储器的位线;第二驱动晶体管,第二驱动晶体管的栅极用于连接放大使能信号线,第二驱动晶体管的通道第一端连接第一输入输出端,以及第二驱动晶体管的通道第二端用于连接半导体存储器的参考位线;其中,第一驱动晶体管的驱动能力小于第二驱动晶体管的驱动能力。本发明实施例的灵敏放大器,可以节省电路面积,降低功耗,提高放大速度。 | ||
搜索关键词: | 灵敏 放大器 半导体 存储器 | ||
【主权项】:
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