[发明专利]磁隧道接面结构形成方法在审
| 申请号： | 201811307722.6 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109786546A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 戴品仁;李忠儒;林仲德;吕志伟;田希文;彭泰彦;李乾铭;廖韦豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露描述一种磁隧道接面结构形成方法，利用离子束蚀刻制程而非反应性离子蚀刻制程的方法，用以形成磁隧道接面(magnetic tunnel junction；MTJ)结构。例如，此方法包括在互连层上形成磁隧道接面结构层，互连层包括第一区域及第二区域。此方法进一步包括沉积遮罩层于第一区域中的磁隧道接面结构层上方，及形成遮蔽结构于第二区域中的磁隧道接面结构层上方。此方法亦包括以离子束蚀刻制程蚀刻遮蔽结构之间的磁隧道接面结构层，以在互连层的第二区域中的介层孔上方形成磁隧道接面结构；及利用离子束蚀刻制程移除互连层的第一区域中的遮罩层、顶部电极、磁隧道接面堆叠，及底部电极的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 磁隧道 接面 蚀刻制程 互连层 结构层 第二区域 第一区域 离子束 结构形成 遮蔽结构 遮罩层 蚀刻 底部电极 顶部电极 非反应性 介层孔 堆叠 移除 沉积 离子 | ||
【主权项】：
1.一种磁隧道接面结构形成方法，其特征在于，包括：形成一磁隧道接面结构层于一互连层上，该磁隧道接面结构层包括安插于一顶部电极与一底部电极之间的一磁隧道接面堆叠，其中该互连层包括一第一区域及一第二区域；沉积一遮罩层在该第一区域中的该磁隧道接面结构层上；形成多个遮蔽结构在该第二区域中的该磁隧道接面结构层上，其中所述多个遮蔽结构形成在设置于该互连层的该第二区域中的介层孔上方；利用一离子束蚀刻制程蚀刻所述多个遮蔽结构之间的该磁隧道接面结构层，以于该互连层的该第二区域中的所述介层孔上方形成磁隧道接面结构；以及利用该离子束蚀刻制程移除该互连层的该第一区域中的该遮罩层、该顶部电极、该磁隧道接面堆叠以及该底部电极的一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811307722.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁阻元件、其制造方法和磁传感器
- 下一篇：制造可变电阻存储器件的方法
