[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201811294774.4 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109449211B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 程磊磊 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王晓燕 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其该制作方法。薄膜晶体管的制作方法包括：提供衬底基板；以及在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、第一电极、第二电极和半导体层，所述栅极、所述第一电极和所述第二电极中的至少之一包括在垂直于所述衬底基板的方向上堆叠设置的N个部分，N个部分中相邻的两个部分互相接触，N为大于等于2的正整数；所述方法包括：通过N次构图工艺分别形成所述N个部分。采用该制作方法得到的薄膜晶体管的栅极、第一电极、第二电极以及信号线的尺寸精度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：栅极、第一电极、第二电极和半导体层，其中，所述第一电极、所述第二电极与所述半导体层电连接，所述栅极、所述第一电极和所述第二电极中的至少之一包括堆叠设置的N个部分，所述N个部分中相邻的两个部分互相接触，N为大于等于2的正整数。
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