[发明专利]平面栅IGBT器件有效
| 申请号： | 201811277094.1 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129131B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 唐龙谷;戴小平;罗海辉;吴煜东;刘国友;张泉;覃荣震 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域，用于解决现有技术中关断损耗较大的技术问题。本发明的平面栅IGBT器件，包括第一关断通路和第二关断通路，由于第一关断通路和第二关断通路是IGBT关断过程中载流子抽取的通道，因此通过增加一条额外的关断通路，从而提高了抗闩锁能力，因此既可缩短关断时间，也可增大可关断电流，从而减少关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 igbt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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