[发明专利]平面栅IGBT器件有效
| 申请号： | 201811277094.1 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129131B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 唐龙谷;戴小平;罗海辉;吴煜东;刘国友;张泉;覃荣震 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 igbt 器件 | ||
1.一种平面栅IGBT器件，其特征在于，包括第一关断通路和第二关断通路，所述第一关断通路位于栅极的侧部，所述第二关断通路位于所述栅极的底部；
所述平面栅IGBT器件的沟道类型为N沟道，所述第一关断通路包括第一P型基区和设置在所述第一P型基区上方的第一P+型体区，所述第一P+型体区至少部分地与发射极金属层接触；
所述第二关断通路包括第二P型基区和第二P+型体区，所述第二P型基区的顶部设置有N+型源区，所述第二P+型体区设置于所述N+型源区的侧部，所述第二P+型体区至少部分地与所述发射极金属层接触。
2.根据权利要求1所述的平面栅IGBT器件，其特征在于，所述栅极的底端设置有栅极氧化层，所述第一P型基区的底端高于所述栅极氧化层底端。
3.根据权利要求1所述的平面栅IGBT器件，其特征在于，所述第二P型基区的顶端与所述栅极氧化层的底端齐平，所述第二P+型体区不与所述栅极氧化层接触。
4.根据权利要求1或3所述的平面栅IGBT器件，其特征在于，所述N+型源区至少部分地与所述栅极侧部的栅极隔离氧化层接触；
所述N+型源区的顶端或底端与所述第二P+型体区的顶端齐平。
5.根据权利要求4所述的平面栅IGBT器件，其特征在于，所述第二P型基区的侧部和底部均设置有N型载流子存储层。
6.根据权利要求1-2中任一项所述的平面栅IGBT器件，其特征在于，所述栅极的底部依次设置有N-型衬底、N’缓冲层、P+集电区和集电极金属层。
7.根据权利要求1-2中任一项所述的平面栅IGBT器件，其特征在于，所述栅极为多晶硅层或碳化硅层。
8.根据权利要求1所述的平面栅IGBT器件，其特征在于，所述平面栅IGBT器件的沟道类型为P沟道，所述第一关断通路包括第一N区和第一N+区；所述第二关断通路包括第二N区和第二N+型体区。
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