[发明专利]CIS的内部透镜的制造方法

摘要

本发明公开了一种CIS的内部透镜的制造方法包括步骤：步骤一、提供半导体衬底；步骤二、形成第一氮化层；步骤三、涂布光刻胶层；步骤四、形成包括多个具有第一宽度的第一开口的光刻胶图形；步骤五、对第一氮化层进行第一次刻蚀形成第一凹槽；步骤六、对光刻胶图形进行开口展宽的刻蚀；步骤七、对第一氮化层进行第二次刻蚀并在第一氮化层的侧面形成一个台阶；步骤八、重复步骤六的开口展宽刻蚀和步骤七的第二次刻蚀形成具有多个台阶初始突出结构；步骤九、去胶并形成第二氮化层，第二氮化层使各台阶圆弧化并使第一和二氮化层的叠加形成具有椭圆形的最终突出结构并组成内部透镜。本发明能容易对内部透镜的外部形貌进行精确控制且工艺简单。

主权项

1.一种CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有位于内部透镜底部的底部结构；步骤二、在所述底部结构的表面形成第一氮化层；步骤三、在所述第一氮化层表面涂布光刻胶层；步骤四、对所述光刻胶层进行光刻处理形成所述光刻胶图形，所述光刻胶图形中包括多个具有第一宽度的第一开口；步骤五、以所述光刻胶图形为掩模对所述第一氮化层进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀在所述第一氮化层中形成多个对应的具有第一宽度的第一凹槽；步骤六、对所述光刻胶图形进行开口展宽的刻蚀，使各所述第一开口扩展为具有第二宽度的第二开口；步骤七、以开口展宽的所述光刻胶图形为掩模对所述第一氮化层进行第二次刻蚀，所述第二次刻蚀使所述第一凹槽深度加深并在所述第一凹槽的顶部形成具有第二宽度的第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽使刻蚀后的所述第一氮化层的侧面形成一个台阶；步骤八、重复步骤六的对所述光刻胶图形的开口展宽的刻蚀工艺以及步骤七的对所述第一氮化层的第二次刻蚀工艺，在所述第一氮化层的侧面形成多个台阶并使刻蚀后的所述第一氮化层呈侧面具有多个台阶的初始突出结构；步骤九、去除所述光刻胶图形之后形成第二氮化层，所述第二氮化层覆盖所述第一氮化层形成的初始突出结构并使各所述台阶圆弧化并使所述第一氮化层和所述第二氮化层的叠加形成具有椭圆形的最终突出结构，由所述最终突出结构组成所述内部透镜。