[发明专利]CIS的内部透镜的制造方法

权利要求书

1.一种CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有位于内部透镜底部的底部结构；

步骤二、在所述底部结构的表面形成第一氮化层；

步骤三、在所述第一氮化层表面涂布光刻胶层；

步骤四、对所述光刻胶层进行光刻处理形成所述光刻胶图形，所述光刻胶图形中包括多个具有第一宽度的第一开口；

步骤五、以所述光刻胶图形为掩模对所述第一氮化层进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀在所述第一氮化层中形成多个对应的具有第一宽度的第一凹槽；

步骤六、对所述光刻胶图形进行开口展宽的刻蚀，使各所述第一开口扩展为具有第二宽度的第二开口；

步骤七、以开口展宽的所述光刻胶图形为掩模对所述第一氮化层进行第二次刻蚀，所述第二次刻蚀使所述第一凹槽深度加深并在所述第一凹槽的顶部形成具有第二宽度的第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽使刻蚀后的所述第一氮化层的侧面形成一个台阶；

步骤八、重复步骤六的对所述光刻胶图形的开口展宽的刻蚀工艺以及步骤七的对所述第一氮化层的第二次刻蚀工艺，在所述第一氮化层的侧面形成多个台阶并使刻蚀后的所述第一氮化层呈侧面具有多个台阶的初始突出结构；

步骤九、去除所述光刻胶图形之后形成第二氮化层，所述第二氮化层覆盖所述第一氮化层形成的初始突出结构并使各所述台阶圆弧化并使所述第一氮化层和所述第二氮化层的叠加形成具有椭圆形的最终突出结构，由所述最终突出结构组成所述内部透镜。

2.如权利要求1所述的CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于：步骤六中，所述第二开口的第二宽度的所述第一开口的第一宽度的差为第一宽度从而使开口展宽的大小为第一宽度；步骤八的每次重复步骤六时对应的开口展宽宽度都为第一宽度。

3.如权利要求2所述的CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于：步骤五中，所述第一次刻蚀的深度为第一深度；步骤七中，所述第二次刻蚀的深度为第一深度；步骤八的每次重复步骤七时对应的所述第二次刻蚀的深度为第一深度。

4.如权利要求3所述的CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于：所述第一深度等于所述第一宽度。

5.如权利要求4所述的CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于：所述第一宽度为

6.如权利要求1所述的CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于：对所述第一氮化层的第一次刻蚀和第二次刻蚀的工艺条件相同，且所述第一氮化层的第一次刻蚀和第二次刻蚀的工艺条件要求减少对所述光刻胶图形的损耗；

对所述光刻胶图形进行开口展宽的刻蚀的工艺条件要求减少对所述第一氮化层的损耗。

7.如权利要求6所述的CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于：对所述第一氮化层的第一次刻蚀和第二次刻蚀和对所述光刻胶图形进行开口展宽的刻蚀同时在相同的干法刻蚀机台进行。

8.如权利要求7所述的CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于：所述第一氮化层的第一次刻蚀和第二次刻蚀的工艺条件的工艺气体采用CF4和O2；

所述光刻胶图形进行开口展宽的刻蚀的工艺条件的工艺气体采用O2。

9.如权利要求7所述的CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于：所述干法刻蚀机台采用中微半导体设备有限公司的干法刻蚀机台。

10.如权利要求1所述的CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于：在所述底部结构包括形成于所述半导体衬底表面中的光电二极管和晶体管，形成于所述半导体衬底表面上方的正面金属层和位于所述正面金属层之间的层间膜。

11.如权利要求10所述的CIS的内部透镜的制造方法，其特征在于：所述光电二极管位于光敏区中，所述晶体管位于非光敏区中并组成CMOS电路结构。