[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201811247487.8 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109841593B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;李再春;林焕哲;陈煌明;吴泱澄;杨政桦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L29/78;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了用于控制半导体器件的端至端距离的方法。本发明的实施例可以用于图案化5nm节点或超出5nm节点制造的层以实现小于35nm的端至端距离。与现有技术相比，本发明的实施例将周期时间和生产成本从三个光刻工艺和四个蚀刻工艺减少至一个光刻工艺和三个蚀刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案化衬底上的层的方法，包括：在所述层上方形成第一掩模层；在所述第一掩模层上方形成第二掩模层；在所述第二掩模层上方形成光刻胶层；使用光刻工艺来图案化所述光刻胶层；使用所述光刻胶层作为掩模来蚀刻所述第二掩模层以在所述第二掩模层中形成部件；实施成角度蚀刻以通过增加所述部件的长度而没有改变所述部件的宽度来修改所述部件；以及使用所述第二掩模层作为掩模来蚀刻所述第一掩模层。
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