[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中，改进了与包括金属栅极电极的场效应晶体管一起封装的可重写存储器单元的保持特性。该半导体器件包括具有金属栅极电极的场效应晶体管和可重写存储器单元。该制造方法包括用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤。在用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤之前，该方法包括使存储器单元的高度低于伪栅极电极的高度并形成用于覆盖存储器单元的保护膜的步骤。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有存储器单元形成区域和场效应晶体管形成区域，所述方法包括以下步骤：(a)在所述存储器单元形成区域中形成包括控制栅极电极和存储器栅极电极的存储器单元，并且在所述场效应晶体管形成区域中形成包括伪栅极电极的场效应晶体管；(b)在步骤(a)之后，形成用于覆盖所述存储器单元和所述场效应晶体管的第一绝缘膜；(c)在步骤(b)之后，通过使用化学机械抛光方法对所述第一绝缘膜进行抛光，来使所述存储器单元的所述控制栅极电极的上表面和所述存储器栅极电极的上表面以及所述场效应晶体管的所述伪栅极电极的上表面暴露；(d)在步骤(c)之后，使所述控制栅极电极的上表面位置和所述存储器栅极电极的上表面位置低于所述伪栅极电极的上表面位置；(e)在步骤(d)之后，形成用于覆盖所述存储器单元的所述控制栅极电极和所述存储器栅极电极的保护膜；(f)在步骤(e)之后，通过移除所述伪栅极电极来形成开口；(g)在步骤(f)之后，形成介电常数高于氧化硅膜的高介电常数膜，以覆盖所述保护膜和所述开口的内壁；(h)在步骤(g)之后，在所述高介电常数膜之上形成含金属的导体膜；以及(i)在步骤(h)之后，通过在保留所述开口内的所述高介电常数膜和所述导体膜不被移除的同时使用所述化学机械抛光方法移除形成在所述保护膜之上的所述高介电常数膜和所述导体膜，来为所述场效应晶体管形成栅极绝缘膜和栅极电极。