[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有存储器单元形成区域和场效应晶体管形成区域，所述方法包括以下步骤：

(a)在所述存储器单元形成区域中形成包括控制栅极电极和存储器栅极电极的存储器单元，并且在所述场效应晶体管形成区域中形成包括伪栅极电极的场效应晶体管；

(b)在步骤(a)之后，形成用于覆盖所述存储器单元和所述场效应晶体管的第一绝缘膜；

(c)在步骤(b)之后，通过使用化学机械抛光方法对所述第一绝缘膜进行抛光，来使所述存储器单元的所述控制栅极电极的上表面和所述存储器栅极电极的上表面以及所述场效应晶体管的所述伪栅极电极的上表面暴露；

(d)在步骤(c)之后，使所述控制栅极电极的上表面位置和所述存储器栅极电极的上表面位置低于所述伪栅极电极的上表面位置；

(e)在步骤(d)之后，形成用于覆盖所述存储器单元的所述控制栅极电极和所述存储器栅极电极的保护膜；

(f)在步骤(e)之后，通过移除所述伪栅极电极来形成开口；

(g)在步骤(f)之后，形成介电常数高于氧化硅膜的高介电常数膜，以覆盖所述保护膜和所述开口的内壁；

(h)在步骤(g)之后，在所述高介电常数膜之上形成含金属的导体膜；以及

(i)在步骤(h)之后，通过在保留所述开口内的所述高介电常数膜和所述导体膜不被移除的同时使用所述化学机械抛光方法移除形成在所述保护膜之上的所述高介电常数膜和所述导体膜，来为所述场效应晶体管形成栅极绝缘膜和栅极电极。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，

在步骤(d)，使用非选择性蚀刻。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中，

在步骤(d)，使用干法蚀刻。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(j)在步骤(i)之后，形成第二绝缘膜，以覆盖形成在所述存储器单元形成区域和所述场效应晶体管形成区域中的所述保护膜；

(k)在步骤(j)之后，通过在保留形成在所述场效应晶体管形成区域中的所述第二绝缘膜不被移除的同时移除形成在所述存储器单元形成区域中的所述第二绝缘膜和所述保护膜，使所述存储器单元的所述控制栅极电极的上表面和所述存储器栅极电极的上表面暴露；

(l)在步骤(k)之后，形成金属膜以覆盖包括所述存储器单元的所述控制栅极电极的上表面和所述存储器栅极电极的上表面在内的所述存储器单元形成区域的上表面，并且覆盖形成在所述场效应晶体管形成区域中的所述第二绝缘膜；以及

(m)在步骤(l)之后，通过经由热处理使构成所述控制栅极电极和所述存储器栅极电极的多晶硅膜与所述金属膜反应，在所述控制栅极电极的上表面和所述存储器栅极电极的上表面之上形成硅化物膜。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，

步骤(m)是将所述控制栅极电极和所述存储器栅极电极全体硅化的步骤。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述存储器单元具有位于所述存储器栅极电极下方的电荷存储膜。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述电荷存储膜是具有俘获电平的绝缘膜。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述电荷存储膜是氮化硅膜。