[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中，改进了与包括金属栅极电极的场效应晶体管一起封装的可重写存储器单元的保持特性。该半导体器件包括具有金属栅极电极的场效应晶体管和可重写存储器单元。该制造方法包括用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤。在用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤之前，该方法包括使存储器单元的高度低于伪栅极电极的高度并形成用于覆盖存储器单元的保护膜的步骤。

相关申请的交叉引用

于2017年11月14日提交的日本专利申请No.2017-219407的公开，包括说明书、附图和摘要，通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造技术，更具体地讲，涉及一种包括具有金属栅极电极的场效应晶体管和存储器单元的半导体器件以及可用于制造其的技术。

背景技术

日本未审专利申请公布No.2016-51745描述了一种用于包括高度低的存储器单元和高度高的场效应晶体管的半导体器件的技术。

日本未审专利申请公布No.Hei 9(1997)-289298描述了一种用于在阶梯式半导体衬底的上层区域和下层区域中的每一个中形成场效应晶体管的技术。

发明内容

制造包括具有金属栅极电极的场效应晶体管和可重写存储器单元的半导体器件的过程可包括用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤。本发明人新发现，在包括上述替换步骤的半导体器件制造方法中，出现可重写存储器单元的保持特性的劣化。因此，在包括用金属栅极电极替换多晶硅膜的伪栅极电极的步骤的半导体器件制造方法中，需要改进与包括金属栅极电极的场效应晶体管一起封装的可重写存储器单元的保持特性。

本发明的上述和另外的目的和新颖特征将从本说明书中的以下详细描述和附图更充分地显现。

根据本发明的一个方面，提供了一种用于半导体器件的半导体器件制造方法，该半导体器件包括具有金属栅极电极的场效应晶体管和可重写存储器单元，该方法包括用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤。在用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤之前，半导体器件制造方法还包括使存储器单元的高度低于伪栅极电极的高度以及形成用于覆盖存储器单元的保护膜的步骤。

根据本发明，与包括金属栅极电极的场效应晶体管一起封装的可重写存储器单元的保持特性得以改进。

附图说明

图1是示出根据本发明的第一实施例的制造半导体器件的过程中的步骤的剖视图，

图2是示出在制造半导体器件的过程中图1所示的步骤之后的步骤的剖视图，

图3是示出在制造半导体器件的过程中图2所示的步骤之后的步骤的剖视图，

图4是示出在制造半导体器件的过程中图3所示的步骤之后的步骤的剖视图，

图5是示出在制造半导体器件的过程中图4所示的步骤之后的步骤的剖视图，

图6是示出在制造半导体器件的过程中图5所示的步骤之后的步骤的剖视图，

图7是示出在制造半导体器件的过程中图6所示的步骤之后的步骤的剖视图，

图8是示出在制造半导体器件的过程中图7所示的步骤之后的步骤的剖视图，

图9是示出在制造半导体器件的过程中图8所示的步骤之后的步骤的剖视图，

图10是示出在制造半导体器件的过程中图9所示的步骤之后的步骤的剖视图，

图11是示出在制造半导体器件的过程中图10所示的步骤之后的步骤的剖视图，

图12是示出在制造半导体器件的过程中图11所示的步骤之后的步骤的剖视图，