[发明专利]半导体装置、设计其版图的方法以及其制造方法在审
| 申请号： | 201811223295.3 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN110034107A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 刘钟奎;金珉修;金用杰;李大成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置、设计其版图的方法以及其制造方法。半导体装置包括：第一硬宏；第二硬宏，在第一方向上与所述第一硬宏间隔第一距离；头单元，设置在所述第一硬宏和所述第二硬宏之间的标准单元区域中，所述头单元被配置为对提供给所述第一硬宏和所述第二硬宏中的一个的电源电压执行电源门控；多个第一末端单元，设置在所述标准单元区域中并与所述第一硬宏相邻；以及多个第二末端单元，设置在所述标准单元区域中并与所述第二硬宏相邻，所述头单元不与所述多个第一末端单元和所述多个第二末端单元交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 末端单元 半导体装置 标准单元 头单元 电源电压 电源门控 交叠 制造 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一硬宏；第二硬宏，在第一方向上与所述第一硬宏间隔第一距离；头单元，设置在所述第一硬宏和所述第二硬宏之间的标准单元区域中，所述头单元被配置为对提供给所述第一硬宏和所述第二硬宏中的一个的电源电压执行电源门控；多个第一末端单元，设置在所述标准单元区域中并与所述第一硬宏相邻；以及多个第二末端单元，设置在所述标准单元区域中并与所述第二硬宏相邻，其中，所述头单元不与所述多个第一末端单元和所述多个第二末端单元交叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
