[发明专利]半导体装置、设计其版图的方法以及其制造方法

说明书

提供了一种半导体装置、设计其版图的方法以及其制造方法。半导体装置包括：第一硬宏；第二硬宏，在第一方向上与所述第一硬宏间隔第一距离；头单元，设置在所述第一硬宏和所述第二硬宏之间的标准单元区域中，所述头单元被配置为对提供给所述第一硬宏和所述第二硬宏中的一个的电源电压执行电源门控；多个第一末端单元，设置在所述标准单元区域中并与所述第一硬宏相邻；以及多个第二末端单元，设置在所述标准单元区域中并与所述第二硬宏相邻，所述头单元不与所述多个第一末端单元和所述多个第二末端单元交叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月11日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0003631的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

与示例实施例一致的方法和装置涉及半导体。更具体地，示例实施例可以涉及半导体装置、设计半导体装置的版图的方法和制造半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置已经变得高度集成，并且半导体装置的电路已经变得很复杂了。因此，手动设计半导体装置的版图已经越来越困难了。因此，可以使用利用计算机设计半导体装置的版图的半定制方法。在半定制方法中，可以预先将用于执行逻辑功能的标准单元提供给设计工具的单元库，并且可以使用该标准单元来设计版图。例如，标准单元可以是矩形。

随着芯片的复杂度变得更高，已经需要相对大尺寸的标准单元。

发明内容

根据示例实施例的一方面，提供了一种半导体装置，包括：第一硬宏；第二硬宏，在第一方向上与所述第一硬宏间隔第一距离；头单元，设置在所述第一硬宏和所述第二硬宏之间的标准单元区域中，所述头单元被配置为对提供给所述第一硬宏和所述第二硬宏中的一个的电源电压执行电源门控；多个第一末端单元，设置在所述标准单元区域中并与所述第一硬宏相邻；以及多个第二末端单元，设置在所述标准单元区域中并与所述第二硬宏相邻，所述头单元不与所述多个第一末端单元和所述多个第二末端单元交叠。

根据另一示例实施例的一方面，提供了一种设计半导体装置的版图的方法，包括：接收指示半导体装置的尺寸的信息；分配第一硬宏区域、第二硬宏区域和输入/输出区域；以及在所述第一硬宏区域和所述第二硬宏区域之间的标准单元区域中布置头单元、多个第一末端单元和多个第二末端单元，使得所述头单元不与所述多个第一末端单元和所述多个第二末端单元交叠，所述头单元被配置为对提供给所述第一硬宏区域和所述第二硬宏区域中的至少一个的电源电压执行电源门控，并且所述第二硬宏区域在第一方向上与所述第一硬宏区域间隔第一距离。

根据又一示例实施例的一方面，提供了一种制造半导体装置的方法，所述制造方法包括：在版图设计系统中设计半导体装置的版图；在所述版图设计系统中的模拟工具中对所述版图执行光学邻近校正(OPC)以确定版图变化；基于所述版图变化制造光掩模；以及使用所述光掩模制造所述半导体装置。设计所述半导体装置的所述版图包括：通过所述版图设计系统接收指示所述半导体装置的尺寸的信息；分配第一硬宏区域、第二硬宏区域和输入/输出区域；以及在所述第一硬宏区域和所述第二硬宏区域之间的标准单元区域中布置头单元、多个第一末端单元和多个第二末端单元，使得所述头单元不与所述多个第一末端单元和所述多个第二末端单元交叠，所述头单元被配置为对提供给所述第一硬宏区域和所述第二硬宏区域中的至少一个的电源电压执行电源门控，并且所述第二硬宏区域在第一方向上与所述第一硬宏区域间隔第一距离。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解以上和其他的方面、特征和优点，其中：

图1是示出了根据示例实施例的用于设计半导体装置的计算系统的框图。

图2是示出了根据示例实施例的用于设计和制造半导体装置的方法的流程图。

图3是示出了根据示例实施例的图2中的版图设计方法的流程图。