[发明专利]薄膜晶体管基板的制备方法及其制备的薄膜晶体管基板在审
| 申请号： | 201811220436.6 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109545752A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 金鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施方式所提供的薄膜晶体管基板的制备方法及其制备的薄膜晶体管基板，包括：提供一基板层，在所述基板层上形成栅极层，采用第一溶液在所述基板层和栅极层上形成绝缘层，采用第二溶液在所述绝缘层上形成沟道层，在所述绝缘层上形成源漏极层，以使得采用溶液法形成绝缘层和沟道层，避免了对高真空设备的使用，从而减少了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 薄膜晶体管基板 制备 基板层 沟道层 栅极层 薄膜晶体管 高真空设备 溶液法 源漏极 生产成本 申请 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板层；在所述基板层上设置一第一金属层，蚀刻所述第一金属层形成栅极层；在所述基板层和所述栅极层上设置一绝缘层，其中，包括：提供一第一溶液；将所述第一溶液涂布于所述基板层和所述栅极层上形成第一溶液层，所述基板层、栅极层和第一溶液层形成第一半成品；以及对所述第一半成品进行第一次热处理，所述第一溶液层形成所述绝缘层；在所述绝缘层上设置一沟道层，其中，包括；提供一第二溶液；将所述第二溶液涂布于所述绝缘层上形成第二溶液层，所述基板层、栅极层、绝缘层和第二溶液层形成第二半成品；对所述第二半成品进行第二次热处理，所述第二溶液层形成一沟道形成层；以及对所述沟道形成层进行蚀刻形成所述沟道层；以及在所述沟道层和所述绝缘层上设置一第二金属层，蚀刻所述第二金属层形成源漏极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
