[发明专利]一种电容器结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201811216535.7 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109473486B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰;徐爱斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电容器结构及其制作方法，通过刻蚀衬底形成若干具有高深宽比的沟槽，以剩余衬底作为电容的第一极板，然后在所述沟槽内壁形成电容介质层，最后于所述沟槽内形成导电层作为电容的第二极板。本发明提供的电容器结构的制作方法，可通过调节沟槽的刻蚀深度，增大电容的有效面积，进而提高电容器单位面积上的电容密度。而且本发明工艺步骤简单，与现有CMOS工艺流程匹配，有效降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；刻蚀所述衬底，形成若干沟槽，以剩余衬底作为电容器的第一极板；于所述沟槽内壁形成电容介质层；于所述沟槽内形成导电层，以所述导电层作为电容器的第二极板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811216535.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
