[发明专利]三维存储器以及形成三维存储器的方法有效
| 申请号： | 201811209758.0 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109346480B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王启光;靳磊;刘红涛 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和间隔层；沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的栅极层和间隔层的沟道孔；多个电荷俘获层，每一所述电荷俘获层位于相邻的两个所述间隔层之间；位于所述沟道孔内的隧穿层；以及电荷阻挡层，位于所述电荷俘获层与所述间隔层以及所述电荷俘获层与所述栅极层之间。本发明的三位存储器中的每个存储单元对应一个独立的电荷俘获层，其隔绝了电荷俘获层间的连接，阻止了电荷俘获层中电荷沿沟道方向的迁移，提高了三维存储器的保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，包括：衬底；位于所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和间隔层；沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的栅极层和间隔层的沟道孔；多个电荷俘获层，每一所述电荷俘获层位于相邻的两个所述间隔层之间；位于所述沟道孔内的隧穿层；以及电荷阻挡层，位于所述电荷俘获层与所述间隔层以及所述电荷俘获层与所述栅极层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
