[发明专利]一种微发光二极管芯片的转移方法有效
| 申请号： | 201811194796.3 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109273565B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陈燕丽;李敏;徐强武;黄忠航;鄢群峰 | 申请（专利权）人： | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明适用于显示技术领域，提供了一种微发光二极管芯片的转移方法，包括以下步骤：提供中转换基板，中转换基板依次包括中间衬底、多个微发光二极管芯片、多个第一磁性层，以及多个第一结合层；提供接受基板，接受基板依次包括衬底基板、多个第二磁性层、多个第二结合层，以及磁性控制线路；将接受基板与中转换基板对组，使得多个第一磁性层与多个第二磁性层一一对应；对磁性控制线路进行通电，第二磁性层具有磁性，使得第一磁性层与对应的第二磁性层磁吸，并且每一第一结合层与对应的第二结合层能够相互结合，从而将所述微发光二极管芯片转移到所述接受基板上，解决了目前纳米级的微发光二极管芯片难以转移至接受基板上的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 转移 方法 | ||
【主权项】：
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