[发明专利]一种微发光二极管芯片的转移方法

权利要求书

1.一种微发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供中转换基板，所述中转换基板包括中间衬底、间隔设于所述中间衬底上的多个微发光二极管芯片、分别设于多个所述微发光二极管芯片上的多个第一磁性层，以及分别设于多个所述第一磁性层上的多个第一结合层；

提供接受基板，所述接受基板包括衬底基板、设于所述衬底基板上且分别对应多个所述第一磁性层的多个第二磁性层、分别设于多个所述第二磁性层上的多个第二结合层，以及设于所述衬底基板上且用于控制多个所述第二磁性层的磁性强弱的磁性控制线路，所述磁性控制线路分别与多个所述第二磁性层电性连接；

将所述接受基板的设有多个所述第二结合层的一面与所述中转换基板的设有多个所述第一结合层的一面对组，使得多个所述第一磁性层与多个所述第二磁性层一一对应；

对所述磁性控制线路进行通电，使得每一所述第二磁性层与对应的所述第一磁性层磁吸；

剥离所述中间衬底，所述第一结合层与所述第二结合层的材料均为合金材料，将每一所述第一结合层与对应的所述第二结合层焊接；

所述提供中转换基板的步骤具体包括：

提供芯片衬底，在所述芯片衬底上形成多个间隔设置的所述微发光二极管芯片；

在每一所述微发光二极管芯片上形成所述第一磁性层；

在每一所述第一磁性层上形成所述第一结合层；

提供所述中间衬底，将所述微发光二极管芯片从所述芯片衬底上剥离并设置在所述中间衬底上，从而形成所述中转换基板，所述第一结合层设于所述第一磁性层远离所述中间衬底的一侧。

2.如权利要求1所述的微发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述第一磁性层与所述第二磁性层均通过印刷或溅镀的方式形成。

3.如权利要求1所述的微发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述衬底基板包括多个子像素区域驱动电路层，多个所述微发光二极管芯片分别对应多个所述子像素区域驱动电路层设置。

4.如权利要求1所述的微发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述微发光二极管芯片为垂直结构的微发光二极管芯片、正装结构的微发光二极管芯片或者倒装结构的微发光二极管芯片。

5.如权利要求4所述的微发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，当所述微发光二极管芯片为垂直结构的微发光二极管芯片时，每一所述第一磁性层设于对应的微发光二极管芯片的正电极面上；

当所述微发光二极管芯片为正装结构的微发光二极管芯片或者倒装结构的微发光二极管芯片时，每一所述第一磁性层设于对应的微发光二极管芯片的电极面上。

6.如权利要求1至5任一项所述的微发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述中间衬底上设有定位标记。

7.如权利要求6所述的微发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述将所述接受基板与所述中转换基板对组的步骤具体包括：

提供机械手、机台以及辅助显微镜，所述辅助显微镜具有摄像头，所述机械手吸附所述接受基板，所述机台吸附所述中转换基板；

通过所述摄像头识别所述中转换基板的定位标记，同时移动所述机械手使得所述接受基板位于所述中转换基板的正上方；

所述机械手朝所述中转换基板垂直移动，使所述接受基板的设有多个所述第二结合层的一面与所述中转换基板的设有多个所述第一结合层的一面对组。