[发明专利]一种微发光二极管芯片的转移方法

说明书

本发明适用于显示技术领域，提供了一种微发光二极管芯片的转移方法，包括以下步骤：提供中转换基板，中转换基板依次包括中间衬底、多个微发光二极管芯片、多个第一磁性层，以及多个第一结合层；提供接受基板，接受基板依次包括衬底基板、多个第二磁性层、多个第二结合层，以及磁性控制线路；将接受基板与中转换基板对组，使得多个第一磁性层与多个第二磁性层一一对应；对磁性控制线路进行通电，第二磁性层具有磁性，使得第一磁性层与对应的第二磁性层磁吸，并且每一第一结合层与对应的第二结合层能够相互结合，从而将所述微发光二极管芯片转移到所述接受基板上，解决了目前纳米级的微发光二极管芯片难以转移至接受基板上的技术问题。

技术领域

本发明属于显示技术领域，特别涉及一种微发光二极管芯片的转移方法。

背景技术

传统液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，构造是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶(Liquid Crystal)，下基板玻璃上设置TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)，上基板玻璃上设置彩色滤光片(Color Filter，CF)，通过TFT上的信号与电压改变来控制液晶分子的转动方向，从而达到控制每个像素点偏振光出射与否而达到显示目的。传统液晶显示器，需要背光模组(Backlight Module)提供光源。传统的液晶显示器因其自身构造，造就了其对比度、色彩饱和度、寿命等较差的问题，同时由于其需求背光提供光源，因此传统液晶显示器薄型化方面也受限。虽然近年发展的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)也为自发光，但其在应答速度、可视角、色彩饱和度等方面也较微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)差。由于微发光二极管芯片的尺寸为纳米级，因此如何将纳米级的微发光二极管芯片转移至接受基板上，是目前微发光二极管显示器(Micro Light Emitting Diode Display，Micro LED Display)最大的难点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微发光二极管芯片的转移方法，旨在解决目前纳米级的微发光二极管芯片难以转移至接受基板上的技术问题。

本发明是这样实现的，一种微发光二极管芯片的转移方法，包括以下步骤：

提供中转换基板，所述中转换基板包括中间衬底、间隔设于所述中间衬底上的多个微发光二极管芯片、分别设于多个所述微发光二极管芯片上的多个第一磁性层，以及分别设于多个所述第一磁性层上的多个第一结合层；

提供接受基板，所述接受基板包括衬底基板、设于所述衬底基板上且分别对应多个所述第一磁性层的多个第二磁性层、分别设于多个所述第二磁性层上的多个第二结合层，以及设于所述衬底基板上且用于控制多个所述第二磁性层的磁性强弱的磁性控制线路，所述磁性控制线路与多个所述第二磁性层电性连接；

将所述接受基板的设有多个所述第二结合层的一面与所述中转换基板的设有多个所述第一结合层的一面对组，使得多个所述第一磁性层与多个所述第二磁性层一一对应；

对所述磁性控制线路进行通电，使得每一所述第二磁性层与对应的所述第一磁性层磁吸。

进一步地，所述第一磁性层与所述第二磁性层均通过印刷或溅镀的方式形成。

进一步地，所述第一结合层与所述第二结合层的材料均为合金材料。

进一步地，所述衬底基板包括多个子像素区域驱动电路层，多个所述微发光二极管芯片分别对应多个所述子像素区域驱动电路层设置。

进一步地，所述提供中转换基板的步骤具体包括：

提供芯片衬底，在所述芯片衬底上形成多个间隔设置的所述微发光二极管芯片；

在每一所述微发光二极管芯片上形成所述第一磁性层；