[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811190413.5 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109390346B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 巴特尔;陈俊;任连娟;周毅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括半导体衬底；叠层结构，位于所述半导体衬底上方，用于形成存储阵列；导电通道，贯穿所述叠层结构，并与所述叠层结构绝缘；以及多个隔离结构，分布于所述导电通道两侧，每个所述隔离结构至少包括贯穿所述叠层结构的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的开口尺寸与所述第二沟槽的开口尺寸不同。本发明实施例的3D存储器中的隔离结构包括至少两个开口尺寸不同的沟槽，多个沟槽的互补效应使得导电通道和隔离结构可以通过一步蚀刻形成，降低了对制造工艺的要求，同时提升3D存储器件的电隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件，包括:半导体衬底；叠层结构，位于所述半导体衬底上方，用于形成存储阵列；导电通道，贯穿所述叠层结构，并与所述叠层结构绝缘；以及多个隔离结构，分布于所述导电通道两侧，其中，每个所述隔离结构至少包括贯穿所述叠层结构的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的开口尺寸与所述第二沟槽的开口尺寸不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
