[发明专利]存储器装置、集成电路及制造存储器装置的方法有效
| 申请号： | 201811190214.4 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110660902B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈升照;萧清泰;蔡正原;匡训冲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种存储器装置、集成电路及制造存储器装置的方法。所述存储器装置包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元、侧壁间隙壁以及上部内连线。磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元设置在衬底上。MRAM单元包括设置在下部电极与上部电极之间的磁性隧道结(MTJ)。侧壁间隙壁沿MRAM单元的相对侧壁排列。上部内连线沿从侧壁间隙壁的第一外边缘连续延伸到侧壁间隙壁的第二外边缘的界面与上部电极的上表面直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其特征在于，包括：/n磁阻式随机存取存储器单元，设置在衬底上，其中所述磁阻式随机存取存储器单元包括设置在下部电极与上部电极之间的磁性隧道结；/n侧壁间隙壁，沿所述磁阻式随机存取存储器单元的相对侧壁排列；以及/n上部内连线，直接接触所述上部电极的上表面及所述侧壁间隙壁的上表面。/n
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