[发明专利]存储器装置、集成电路及制造存储器装置的方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

磁阻式随机存取存储器单元，设置在衬底上，其中所述磁阻式随机存取存储器单元包括设置在下部电极与上部电极之间的磁性隧道结；

侧壁间隙壁，沿所述磁阻式随机存取存储器单元的相对侧壁排列；以及

上部内连线，直接接触所述上部电极的上表面及所述侧壁间隙壁的上表面。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述上部内连线直接接触所述上部电极的侧壁。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

第一层间介电层，包括环绕所述磁阻式随机存取存储器单元及所述上部内连线的第一介电材料；以及

第二层间介电层，包括设置于所述第一层间介电层之上且环绕所述上部内连线的第二介电材料，其中所述第一介电材料是与所述第二介电材料不同的材料。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

内连线，位于逻辑区内并设置在所述衬底之上，其中所述第二层间介电层环绕所述内连线，且其中所述第一层间介电层不位于所述逻辑区内。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

第一导电通孔，设置在所述上部内连线之上；以及

第一导电线，设置在所述第一导电通孔之上，其中所述第一导电线延伸超过所述第一导电通孔的侧壁，其中所述第一导电通孔侧向排列在所述上部内连线的侧壁之间。

6.一种集成电路，其特征在于，包括：

第一介电层，设置在半导体衬底之上；

磁阻式随机存取存储器单元，设置在所述第一介电层之上，其中所述磁阻式随机存取存储器单元包括设置在底部电极与顶部电极之间的磁性隧道结；

第一侧壁间隙壁，包括第一材料，所述第一材料接触所述顶部电极的最外侧壁，其中所述第一侧壁间隙壁的底表面接触所述底部电极的上表面；

第二侧壁间隙壁，包括第二材料，所述第二材料的内侧壁接触所述第一侧壁间隙壁的最外侧壁，其中所述第二侧壁间隙壁的最底表面接触所述第一介电层的顶表面，且其中所述第一材料与所述第二材料不同；以及

内连线，接触所述顶部电极的上表面、所述第一侧壁间隙壁及所述第二侧壁间隙壁。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，当从剖视图观察时，所述内连线的底表面是由从所述第二侧壁间隙壁的第一最外边缘连续延伸到所述第二侧壁间隙壁的第二最外边缘的界面所界定。

8.一种制造存储器装置的方法，其特征在于，包括：

在位于存储器阵列区中的磁阻式随机存取存储器单元周围形成侧壁间隙壁，其中所述磁阻式随机存取存储器单元包括设置在下部电极与上部电极之间的磁性隧道结；

在所述侧壁间隙壁之上形成第一层间介电层；

在所述第一层间介电层之上形成第二层间介电层；

在所述第二层间介电层之上形成介电层；

执行第一刻蚀工艺，以在所述上部电极正上方定义孔，其中所述第一刻蚀工艺移除所述第一层间介电层的一部分、所述第二层间介电层的一部分、所述介电层的一部分及所述侧壁间隙壁的一部分；以及

在所述孔内形成内连线，其中所述内连线直接接触所述上部电极及所述侧壁间隙壁。

9.根据权利要求8所述的制造存储器装置的方法，其特征在于，所述侧壁间隙壁还包括：

第一侧壁间隙壁，包括与所述上部电极的外侧壁直接接触的第一材料；

第二侧壁间隙壁，包括与所述第一侧壁间隙壁的外侧壁直接接触的第二材料，其中所述第一材料与所述第二材料不同；以及

其中所述第一刻蚀工艺对所述第一侧壁间隙壁的刻蚀多于对所述第二侧壁间隙壁的刻蚀，以使得所述第二侧壁间隙壁的高度大于所述第一侧壁间隙壁的高度。

10.根据权利要求8所述的制造存储器装置的方法，其特征在于，还包括：

在逻辑区内形成第二内连线，其中所述第二层间介电层设置在所述第二内连线之上，且其中所述第一层间介电层不位于所述逻辑区内；

在所述第二内连线之上形成第一导电通孔；以及

在所述第一导电通孔之上形成第一导电线，其中所述第一导电线延伸超过所述第一导电通孔的侧壁。