[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201811185822.6 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109860172A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;蔡庆威;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件包括基板、半导体鳍、隔离插塞及隔离结构。半导体鳍在基板上方。隔离插塞在基板上方并邻近半导体鳍的端部。隔离结构在基板上方并邻近半导体鳍及隔离插塞的侧壁。隔离结构的顶表面的位置低于隔离插塞的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体鳍 插塞 基板 隔离结构 隔离 半导体元件 顶表面 邻近 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板；一半导体鳍，在该基板上方；一隔离插塞，在该基板上方并邻近该半导体鳍的一端部；以及一隔离结构，在该基板上方并邻近该半导体鳍及该隔离插塞的侧壁，其中该隔离结构的一顶表面的一位置低于该隔离插塞的一顶表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
