[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201811182653.0 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110707004B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;李甫哲;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其形成方法，其中该形成半导体装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一第一图案化光致抗蚀剂层于一基底上。接着，在形成第一图案化光致抗蚀剂层于基底上之后，形成一第二图案化光致抗蚀剂层于基底上，其中第一图案化光致抗蚀剂层与第二图案化光致抗蚀剂层交错排列。接续，形成一衬垫层覆盖第一图案化光致抗蚀剂层以及第二图案化光致抗蚀剂层的侧壁。本发明还提供一种半导体装置，包含有多个柱状结构设置于一层上，其中此层包含第一凹槽以及第二凹槽，其中此些第一凹槽的深度小于此些第二凹槽的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的方法，包含有：/n形成第一图案化光致抗蚀剂层于基底上；/n在形成该第一图案化光致抗蚀剂层于该基底上之后，形成第二图案化光致抗蚀剂层于该基底上，其中该第一图案化光致抗蚀剂层与该第二图案化光致抗蚀剂层交错排列；以及/n形成衬垫层覆盖该第一图案化光致抗蚀剂层以及该第二图案化光致抗蚀剂层的侧壁。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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