[发明专利]非共形氧化物衬垫及其制造方法有效
| 申请号： | 201811169148.2 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110504169B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 林民和;陈俊纮;于雄飞;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及非共形氧化物衬垫及其制造方法。提供了一种方法，包括：形成突出于衬底上方的鳍；在鳍的上表面上方并且沿着鳍的侧壁形成共形氧化物层；执行各向异性氧化物沉积或各向异性等离子体处理以在鳍的上表面上方并且沿着鳍的侧壁形成非共形氧化物层；以及在鳍的上方形成栅极电极，共形氧化物层和非共形氧化物层位于鳍和栅极电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 非共形 氧化物 衬垫 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造非共形氧化物衬垫的方法，包括：/n形成突出于衬底上方的鳍；/n在所述鳍的上表面上方并且沿着所述鳍的侧壁形成共形氧化物层；/n执行各向异性氧化物沉积或各向异性等离子体处理以在所述鳍的上表面上方并且沿着所述鳍的侧壁形成非共形氧化物层；以及/n在所述鳍的上方形成栅极电极，所述共形氧化物层和所述非共形氧化物层位于所述鳍和所述栅极电极之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
