[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201811168328.9 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109300905A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;胡小龙;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体和位于焊盘本体顶部的焊盘保护层；在所述焊盘上以及焊盘周围的初始器件上形成钝化结构层；刻蚀去除焊盘上的至少部分钝化结构层，以在所述钝化结构层中形成凹槽；形成凹槽后，进行中间热处理；进行中间热处理后，在所述钝化结构层上形成感光保护层，所述感光保护层暴露出凹槽的底部表面；以所述感光保护层为掩膜进行刻蚀，以将所述凹槽底部的焊盘保护层去除从而暴露出焊盘本体的表面。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 焊盘 钝化结构 半导体器件 感光保护层 焊盘保护层 中间热处理 刻蚀 去除 底部表面 暴露 掩膜 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体和位于焊盘本体顶部的焊盘保护层；在所述焊盘上以及焊盘周围的初始器件上形成钝化结构层；刻蚀去除焊盘上的至少部分钝化结构层，以在所述钝化结构层中形成凹槽；形成凹槽后，进行中间热处理；进行中间热处理后，在所述钝化结构层上形成感光保护层，所述感光保护层暴露出凹槽的底部表面；以所述感光保护层为掩膜进行刻蚀，以将所述凹槽底部的焊盘保护层去除从而暴露出焊盘本体的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
