[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体和位于焊盘本体顶部的焊盘保护层；

在所述焊盘上以及焊盘周围的初始器件上形成钝化结构层；

刻蚀去除焊盘上的至少部分钝化结构层，以在所述钝化结构层中形成凹槽；

形成凹槽后，进行中间热处理；

进行中间热处理后，在所述钝化结构层上形成感光保护层，所述感光保护层暴露出凹槽的底部表面；

以所述感光保护层为掩膜进行刻蚀，以将所述凹槽底部的焊盘保护层去除从而暴露出焊盘本体的表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除焊盘上的至少部分钝化结构层的方法包括：

在所述钝化结构层上形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层中具有开口，所述开口位于所述焊盘上方；

以所述光刻胶层为掩膜刻蚀开口底部的至少部分厚度的钝化结构层，形成所述凹槽；

以所述光刻胶层为掩膜刻蚀开口底部的至少部分厚度的钝化结构层后，去除所述光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除焊盘上钝化结构层的表层，以在所述钝化结构层中形成凹槽；

所述半导体器件的形成方法还包括：在以所述感光保护层为掩膜刻蚀凹槽底部的焊盘保护层之前，以所述感光保护层为掩膜刻蚀凹槽底部的钝化结构层直至暴露出焊盘保护层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在以所述感光保护层为掩膜刻蚀凹槽底部的焊盘保护层之前，凹槽的底部的钝化结构层的厚度为200埃～500埃。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除焊盘上的钝化结构层，在所述钝化结构层中形成凹槽，凹槽的底部暴露出焊盘保护层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述中间热处理包括退火处理。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述凹槽后，且在进行所述中间热处理之前，还包括：对所述凹槽进行清洗工艺。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述感光保护层的材料包括聚酰亚胺材料。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述感光保护层的方法包括：在所述凹槽周围的钝化结构层上以及凹槽中形成初始感光保护层；对所述初始感光保护层依次进行曝光、显影和固化，使初始感光保护层形成所述感光保护层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述感光保护层还位于凹槽的侧壁，使得所述感光保护层的开口口径小于所述凹槽的口径。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述钝化结构层的方法包括：在所述焊盘上以及焊盘周围的初始器件上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成第二钝化层；

刻蚀去除焊盘上的至少部分钝化结构层的方法包括：刻蚀去除焊盘上的第二钝化层以及焊盘上的至少部分厚度的第一钝化层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一钝化层的材料包括氧化硅；所述第二钝化层的材料包括氮化硅。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：以所述感光保护层为掩膜进行刻蚀，以将所述凹槽底部的焊盘保护层去除后，对所述感光保护层进行固化处理。

14.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述焊盘本体的材料包括铝；所述焊盘保护层的材料包括氮化钛。

15.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述钝化结构层之后，且在刻蚀去除焊盘上的至少部分钝化结构层之前，进行初始热处理。