[发明专利]3D-NAND闪存的形成方法有效
| 申请号： | 201811147897.5 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109300904B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种3D‑NAND闪存的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成堆叠结构和贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括沿垂直于半导体衬底表面方向延伸的沟道层、以及位于所述沟道结构顶部的漏掺杂区和附加掺杂区；所述附加掺杂区位于所述漏掺杂区的侧部，且所述漏掺杂区和附加掺杂区均覆盖于部分所述沟道层之上，所述附加掺杂区的导电类型与所述漏掺杂区的导电类型相反。所述方法提高了3D‑NAND闪存的性能。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D‑NAND闪存的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成堆叠结构和贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括沿垂直于半导体衬底表面方向延伸的沟道层、以及位于所述沟道结构顶部的漏掺杂区和附加掺杂区；所述附加掺杂区位于所述漏掺杂区的侧部，且所述漏掺杂区和附加掺杂区均覆盖于部分所述沟道层之上，所述附加掺杂区的导电类型与所述漏掺杂区的导电类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
