[发明专利]3D-NAND闪存的形成方法

权利要求书

1.一种3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在半导体衬底上形成堆叠结构和贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括沿垂直于半导体衬底表面方向延伸的沟道层、以及位于所述沟道结构顶部的漏掺杂区和附加掺杂区；

所述附加掺杂区位于所述漏掺杂区的侧部，且所述漏掺杂区和附加掺杂区均覆盖于部分所述沟道层之上，所述附加掺杂区的导电类型与所述漏掺杂区的导电类型相反。

2.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，形成所述堆叠结构、沟道结构、漏掺杂区和附加掺杂区的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成复合介质层，所述复合介质层包括若干层交错层叠的牺牲层和绝缘层；

在所述复合介质层中形成沟道孔；

在所述沟道孔中形成所述沟道结构；

形成所述沟道结构后，去除牺牲层，形成开口；

在所述开口中形成导电层，所述堆叠结构包括绝缘层和导电层。

3.根据权利要求2所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，在所述沟道孔中形成所述沟道结构的步骤包括：

在所述沟道孔中形成初始沟道结构，所述初始沟道结构包括沟道层、沟道介质层和半导体连接层，所述沟道层和所述沟道介质层均沿垂直于半导体衬底表面方向延伸，所述半导体连接层位于沟道介质层的顶部表面，所述沟道层位于所述沟道介质层和所述半导体连接层的外侧；

采用第一离子注入工艺在部分所述半导体连接层中、以及半导体连接层侧部的部分所述沟道层中形成漏掺杂区；

采用第二离子注入工艺在部分所述半导体连接层中、以及半导体连接层侧部的部分所述沟道层中形成附加掺杂区。

4.根据权利要求3所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述沟道层与半导体连接层的材料相同。

5.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底中具有阱离子，所述阱离子的导电类型与所述漏掺杂区的导电类型相同。

6.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，当所述3D-NAND闪存的类型为N型时，所述漏掺杂区的导电类型为N型，所述附加掺杂区的导电类型为P型。

7.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，当所述3D-NAND闪存的类型为P型时，所述漏掺杂区的导电类型为P型，所述附加掺杂区的导电类型为N型。

8.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述附加掺杂区投影在半导体衬底表面的面积与所述漏掺杂区投影在半导体衬底表面的面积之比值为4/5～6/5。

9.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，还包括：形成金属衬底；所述金属衬底位于所述半导体衬底的底部。

10.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述沟道结构还包括：位于所述漏掺杂区和附加掺杂区上表面的金属硅化物层。