[发明专利]一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法在审
| 申请号： | 201811119385.8 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109300777A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 马爱;贺贤汉;李传玉 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/06;C30B28/14 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾兰芳 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域。一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，化学气相沉积时，采用SiH4在660～680℃的温度下进行热分解淀积。本专利通过提高硅烷分解的温度。由于沉积温度升高，多晶硅晶粒变大，晶粒间界变小，从而使硅片翘曲度变小。 | ||
| 搜索关键词： | 化学气相沉积 多晶硅薄膜 硅片 变小 翘曲 半导体加工技术 多晶硅晶粒 硅片翘曲 晶粒间界 热分解 淀积 硅烷 沉积 分解 | ||
【主权项】：
1.一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于，化学气相沉积时，采用SiH4在660～680℃的温度下进行热分解淀积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海申和热磁电子有限公司，未经上海申和热磁电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811119385.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制备多晶硅薄膜的装置和方法
- 下一篇：离子注入方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
