[发明专利]一种改善电容孔形貌的方法有效
| 申请号： | 201811109169.5 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110943163B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善电容孔形貌的方法，该方法至少包括如下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次沉积蚀刻停止层、至少一层电容牺牲氧化层、第一电容支撑层、及第三电容牺牲氧化层；蚀刻所述第三电容牺牲氧化层至所述第一电容支撑层停止，在所述第三电容牺牲氧化层中形成电容孔上部开口。该电容孔上部开口的宽度大于所需的电容孔的宽度，在电容孔上部开口的侧壁及顶部沉积阻挡层实现开口的微缩，降低光刻的难度；阻挡层能够保护电容孔侧壁，使电容开口顶部形貌保持较好、倾斜度相对较小，大大降低顶部出现桥接的可能性。蚀刻出电容孔之后填充氮化物来形成电容孔顶部的支撑层，减少了电容孔的蚀刻难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电容 形貌 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811109169.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
