[发明专利]自对准的门极隔离在审
| 申请号： | 201811098514.X | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109755134A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;M·K·帕蒂拉内;朴灿柔;古拉密·波奇;尼格尔·凯夫;马翰德·库玛;成敏圭;刘黄;臧辉 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及自对准的门极隔离，揭示鳍式场效晶体管(FinFET)及其制法包括自对准的门极隔离层。一种形成FinFET的方法包括：形成牺牲间隔体于鳍片侧壁上面，以及在牺牲间隔体之间的数个自对准位置处形成隔离层于毗邻鳍片之间。形成例如牺牲门极层的附加层于该隔离层上面，以及光刻及蚀刻技术用来切断或分段该附加层以在该隔离层上面界定一门极切断开口。用电介质材料回填该门极切断开口，以及回填的电介质与该隔离层合作以使相邻牺牲门极从而随后形成与各个装置关联的功能门极分离。 | ||
| 搜索关键词： | 门极 隔离层 自对准 附加层 间隔体 回填 电介质 开口 鳍式场效晶体管 用电介质材料 隔离 蚀刻 装置关联 鳍片侧壁 功能门 门极层 位置处 光刻 界定 制法 鳍片 分段 毗邻 合作 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，其包含：形成多个半导体鳍片于一半导体衬底上面；形成一间隔体层于该多个半导体鳍片的侧壁上面；在毗邻间隔体层之间的自对准位置处形成一隔离层；形成一第二层于该隔离层上面且于该半导体鳍片上面；在该第二层中蚀刻一开口以暴露该隔离层的一顶面；以及在该开口内形成一电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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