[发明专利]自对准的门极隔离

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，其包含：

形成多个半导体鳍片于一半导体衬底上面；

形成一间隔体层于该多个半导体鳍片的侧壁上面；

在毗邻间隔体层之间的自对准位置处形成一隔离层；

形成一第二层于该隔离层上面且于该半导体鳍片上面；

在该第二层中蚀刻一开口以暴露该隔离层的一顶面；以及

在该开口内形成一电介质层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该间隔体层包含一非晶硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该隔离层包含从下列各物组成的群组选出的一电介质材料：SiCO、SiCN及SiOCN。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包含：蚀刻该隔离层，其中，经蚀刻的该隔离层在该衬底的一第一区内的一顶面低于邻近该隔离层的半导体鳍片的一顶面。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该隔离层在该衬底的一第二区内的一顶面高于邻近该隔离层的半导体鳍片的一顶面。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在该半导体鳍片之间形成一浅沟槽隔离层于该半导体衬底上面。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该隔离层直接形成于该浅沟槽隔离层上面。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二层包含非晶硅。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二层包含一导电层。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二层包含上覆一导电层的一非晶碳层或一有机平坦化层(OPL)。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该电介质层的一宽度大于该隔离层的一宽度。

12.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在该电介质层与该隔离层的相对侧壁上面形成一导电层。

13.一种半导体结构，其包含：

多个半导体鳍片，配置在一半导体衬底上面；

一隔离层，设置于该衬底上面且于毗邻鳍片之间；以及

一电介质层，设置于该隔离层上面，其中，该隔离层在该衬底的一第一区内的一顶面低于邻近该隔离层的半导体鳍片的一顶面，以及该隔离层在该衬底的一第二区内的一顶面高于邻近该隔离层的半导体鳍片的一顶面。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，该电介质层包含氮化硅且该隔离层包含从下列各物组成的群组选出的一电介质材料：SiCO、SiCN及SiOCN。

15.如权利要求13所述的半导体结构，进一步包含：在该半导体鳍片之间设置于该半导体衬底上面的一浅沟槽隔离层，其中，该隔离层直接设置于该浅沟槽隔离层上面。

16.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，该电介质层的一宽度大于该隔离层的一宽度。

17.如权利要求13所述的半导体结构，进一步包含：设置在该电介质层及该隔离层的第一侧壁上面的一第一导电层以及设置在该电介质层及该隔离层的第二侧壁上面的一第二导电层。