[发明专利]瞬态电压抑制器及其制备方法

摘要

本发明提供一种瞬态电压抑制器，其包括衬底、间隔形成在衬底的上表面并延伸至衬底内的多个沟槽区，每个沟槽区包括间隔排列的一个第一沟槽及一个第二沟槽，第一沟槽内填充有第一多晶硅层，第二沟槽内填充有第二多晶硅层，形成在衬底的上表面并覆盖沟槽区的第三多晶硅层，形成在第三多晶硅层的上表面的第一金属层，间隔形成在衬底的下表面并延伸至衬底内的多个第一注入区，多个第一注入区与多个沟槽区一一对应设置，形成在多个第一注入区之间的第二导电类型的多个第二注入区，形成在衬底的下表面并覆盖第一注入区及第二注入区的下表面的第二金属层。本发明还提供瞬态电压抑制器的制备方法，提高了瞬态电压抑制器的防浪涌能力和工作功率。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于：其包括：第一导电类型的衬底；间隔形成在所述衬底的上表面并延伸至所述衬底内的多个沟槽区，每个所述沟槽区包括间隔排列的一个第一沟槽及一个第二沟槽，所述第一沟槽内填充有第二导电类型的第一多晶硅层，所述第二沟槽内填充有第二导电类型的第二多晶硅层；形成在所述衬底的上表面并覆盖所述沟槽区的第二导电类型的第三多晶硅层；形成在所述第三多晶硅层的上表面的第一金属层；间隔形成在所述衬底的下表面并延伸至所述衬底内的第一导电类型的多个第一注入区，多个所述第一注入区与多个所述沟槽区一一对应设置；形成在多个所述第一注入区之间的第二导电类型的多个第二注入区；形成在所述衬底的下表面并覆盖所述第一注入区及所述第二注入区的下表面的第二金属层。