[发明专利]包括电容器结构的半导体器件及制造其的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法包括提供衬底结构。该方法包括形成顺序地堆叠在衬底结构上的下牺牲层、下支撑物层、上牺牲层和上支撑物层。该方法包括在上支撑物层上形成掩模图案、通过使用掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻上支撑物层而形成上支撑物图案。该方法包括形成穿透上支撑物图案、上牺牲层、下支撑物层和下牺牲层的凹陷区域、以及去除下牺牲层和上牺牲层。掩模图案在形成上支撑物图案的工艺期间被去除。并且，当形成凹陷区域的工艺结束时，上支撑物图案留下。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底结构；形成顺序地堆叠在所述衬底结构上的下牺牲层、下支撑物层、上牺牲层和上支撑物层；在所述上支撑物层上形成掩模图案；通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述上支撑物层而形成上支撑物图案；形成穿透所述上支撑物图案、所述上牺牲层、所述下支撑物层和所述下牺牲层的凹陷区域；以及去除所述下牺牲层和所述上牺牲层，其中所述掩模图案在形成所述上支撑物图案的工艺期间被去除，以及其中，当形成所述凹陷区域的工艺结束时，所述上支撑物图案留下。