[发明专利]包括电容器结构的半导体器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供衬底结构；

形成顺序地堆叠在所述衬底结构上的下牺牲层、下支撑物层、上牺牲层和上支撑物层；

在所述上支撑物层上形成掩模图案；

通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述上支撑物层而形成上支撑物图案；

形成穿透所述上支撑物图案、所述上牺牲层、所述下支撑物层和所述下牺牲层的凹陷区域；以及

去除所述下牺牲层和所述上牺牲层，

其中所述掩模图案在形成所述上支撑物图案的工艺期间被去除，以及

其中，当形成所述凹陷区域的工艺结束时，所述上支撑物图案留下。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成沿着所述凹陷区域的内表面延伸的下电极图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述下电极图案包括：

形成沿着所述上支撑物图案的上表面和所述凹陷区域的所述内表面延伸的下电极层；以及

去除在所述上支撑物图案的所述上表面上的所述下电极层。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述下电极图案上形成上电极层；以及

在所述下电极图案与所述上电极层之间形成电介质层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述上支撑物图案的厚度在形成所述凹陷区域的工艺期间被减小。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述凹陷区域包括使用所述上支撑物图案作为蚀刻掩模顺序地蚀刻所述上牺牲层、所述下支撑物层和所述下牺牲层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述凹陷区域还包括执行第一清洁工艺，所述第一清洁工艺横向地扩大所述上牺牲层中的所述凹陷区域，以及

其中在蚀刻所述下支撑物层的工艺之前执行所述第一清洁工艺。

8.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述凹陷区域还包括执行第二清洁工艺，所述第二清洁工艺横向地扩大所述下牺牲层中的所述凹陷区域，以及

其中在蚀刻所述下牺牲层的工艺之后执行所述第二清洁工艺。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供衬底结构；

形成顺序地堆叠在所述衬底结构上的牺牲层和支撑物层；

在所述支撑物层上形成掩模图案；

通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述支撑物层而形成支撑物图案；

通过使用所述支撑物图案作为蚀刻掩模蚀刻所述牺牲层而形成牺牲图案；以及

去除所述牺牲图案，

其中所述掩模图案在形成所述支撑物图案的工艺期间被去除，以及

其中，当形成所述牺牲图案的工艺结束时，所述支撑物图案留下。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述牺牲层包括掺杂以杂质的碳层，以及

其中所述杂质包括不同于碳的元素。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述杂质均匀地分布在所述牺牲图案中，以及

其中在所述牺牲图案中所述杂质的浓度范围从20体积％到80体积％。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述杂质包括硼(B)或钨(W)。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述杂质的浓度在所述牺牲图案中具有梯度，以及

其中所述杂质的浓度朝向所述衬底结构逐渐变高或者朝向所述衬底结构逐渐变低。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述支撑物图案包括硅(Si)、硅氧化物、金属氧化物或硅氮氧化物。