[发明专利]一种计算机硅片高效清洗工艺

摘要

本发明提供了一种计算机硅片高效清洗工艺，包括如下步骤：分子型杂质清洗、离子和原子型杂质清洗、干燥处理。本发明的有益效果在于：通过擦洗可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜；高压喷射的清洗液在清洗的同时，使得片子不易产生划痕和损伤；超声波清洗可通过气蚀作用洗掉硅片上的污染，并通过高频超声波去除硅片表面小于1微米的颗粒，清洗效果更好；第一酸洗液可将有机物分解而除去；碱洗液中H₂O₂的氧化作用和NH₄OH的络合作用，可使金属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；第二酸洗液中H₂O₂的氧化作用和盐酸的溶解，以及氯离子的络合性，使得金属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。

主权项

1.一种计算机硅片高效清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤：a）分子型杂质清洗：首先对硅片的表面进行擦洗，随后采用高压喷枪，使用清洗液对硅片的表面进行高压冲洗，并控制喷嘴压力10～12Mpa，喷嘴与硅片表面距离16～19cm，之后将硅片放入超声波清洗池内，并控制频率23000～26000Hz，清洗12～16min，最后备用；b）离子和原子型杂质清洗：将步骤a）中分子型杂质清洗过的硅片放入第一酸洗液进行清洗，清洗时间2～5min，随后用超纯水冲洗，并再用碱洗液清洗，清洗时间2～5min，之后再用第二酸洗液进行清洗，清洗时间1～3min，最后用去离子水清洗备用；c）干燥处理：将经过步骤b）处理后的硅片进行IPA干燥。