[发明专利]一种计算机硅片高效清洗工艺

说明书

本发明提供了一种计算机硅片高效清洗工艺，包括如下步骤：分子型杂质清洗、离子和原子型杂质清洗、干燥处理。本发明的有益效果在于：通过擦洗可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜；高压喷射的清洗液在清洗的同时，使得片子不易产生划痕和损伤；超声波清洗可通过气蚀作用洗掉硅片上的污染，并通过高频超声波去除硅片表面小于1微米的颗粒，清洗效果更好；第一酸洗液可将有机物分解而除去；碱洗液中H₂O₂的氧化作用和NH₄OH的络合作用，可使金属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；第二酸洗液中H₂O₂的氧化作用和盐酸的溶解，以及氯离子的络合性，使得金属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。

技术领域

本发明涉及硅片清洗技术领域，尤其涉及一种计算机硅片高效清洗工艺。

背景技术

随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的质量要求也越来越高,特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。这主要是因为抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率,对于线宽为0.35μm的64兆DRAM器件,影响电路的临界颗粒尺寸为0.06μm,抛光片的表面金属杂质沾污应全部小于5× 1016at/cm2,抛光片表面大于0.2μm的颗粒数应小于20个/片。在目前的集成电路生产中,由于硅抛光片表面沾污问题,仍有50%以上的材料被损失掉。

在硅晶体管和集成电路生产中,几乎每道工序都有硅片清洗的问题,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,处理不当,可能使全部硅片报废,做不出管子来,或者制造出来的器件性能低劣,稳定性和可靠性很差。硅片清洗法和,不管是对于从硅片加工的人,还是对于从事半导体器件生产的人来说都有着重要的意义。

发明内容

为解决上述问题，本发明公开了一种计算机硅片高效清洗工艺，提高了清洗效率，保证了清洗效果。

为了达到以上目的，本发明提供如下技术方案：

一种计算机硅片高效清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤：

a）分子型杂质清洗：首先对硅片的表面进行擦洗，随后采用高压喷枪，使用清洗液对硅片的表面进行高压冲洗，并控制喷嘴压力10～12Mpa，喷嘴与硅片表面距离16～19cm，之后将硅片放入超声波清洗池内，并控制频率23000～26000Hz，清洗12～16min，最后备用；

b）离子和原子型杂质清洗：将步骤a）中分子型杂质清洗过的硅片放入第一酸洗液进行清洗，清洗时间2～5min，随后用超纯水冲洗，并再用碱洗液清洗，清洗时间2～5min，之后再用第二酸洗液进行清洗，清洗时间1～3min，最后用去离子水清洗备用；

c）干燥处理：将经过步骤b）处理后的硅片进行IPA干燥。

进一步的，所述第一酸洗液中各组成成分的配比为H₂SO₄:H₂O₂=5:1。

进一步的，所述碱洗液中各组成成分的配比为H₂O:H₂O₂:NH₄OH=7:2:1。

进一步的，所述第二酸洗液中各组成成分的配比为H₂O:H₂O₂:HCl=5:2:1。

进一步的，所述超纯水为UP水。