[发明专利]半导体元件有效

专利信息
申请号: 201811066360.6 申请日: 2018-09-13
公开(公告)号: CN109494286B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 张永富;钟昕展;郑鸿达;廖文禄;李世昌;吕志强;陈怡名;詹耀宁;蔡均富 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种半导体元件,包含:半导体叠层,具有表面,且此表面具有第一边及相对于第一边的第二边;及电极结构包含电极垫、第一、第二及第三延伸电极形成于表面上;其中,延伸电极各具有第一部分及第二部分;其中,各第二部分以第一延伸方向朝第一边或第二边延伸,第一、第二以及第三延伸电极的各第一部分各别以第二、第三以及第四延伸方向自电极垫延伸;其中,第一、第二、第三沿伸电极的第一部分与第二部分连接,并且依序形成具有第一角度θ1的第一转角、具有第二角度θ2的第二转角、具有第三角度θ3的第三转角,其中,第一延伸电极的该第二部分具有远离电极垫的第一端,第二边较第一边远离电极垫,第一边与第一延伸电极的第一部分具有最短距离大于第二边至第一端的最短距离。
搜索关键词: 半导体 元件
【主权项】:
1.一种半导体元件,其特征在于,包含:半导体叠层,具有表面;及电极结构,包含电极垫,形成于该表面上,该电极结构另包含分别连接于该电极垫的第一延伸电极、第二延伸电极及第三延伸电极,该第一延伸电极较该第三延伸电极靠近该表面的轮廓,该第二延伸电极位于该第一延伸电极及该第三延伸电极之间;其中,由俯视观之,该第一延伸电极、该第二延伸电极及该第三延伸电极分别包含第一转角具有第一角度θ1、第二转角具有一第二角度θ2及第三转角具有第三角度θ3,且θ3>θ2>θ1。
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