[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 201811063190.6 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109440063B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/22;C23C14/54;H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。包括：提供至少两种衬底，衬底上设有掺杂氧元素的氮化铝层，至少两种衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度不同；提供一石墨基座，石墨基座上设有多个口袋；在每个口袋中放置一个衬底，分布在同一个圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度相同，分布在至少两个同心圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度自至少两个同心圆的圆心沿至少两个同心圆的径向逐渐减少；同时在每个口袋中放置的衬底上的氮化铝层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，形成氮化镓基发光二极管外延片。本发明可使得所有口袋中形成的外延片的翘曲一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：提供至少两种衬底，所述衬底上设有掺杂氧元素的氮化铝层，所述至少两种衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度不同；提供一石墨基座，所述石墨基座上设有多个口袋，所述多个口袋分布在以所述石墨基座的中心为圆心的至少两个同心圆上；在每个所述口袋中放置一个所述衬底，所述衬底上的氮化铝层朝向所述口袋的开口，分布在同一个圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度相同，分布在所述至少两个同心圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度自所述至少两个同心圆的圆心沿所述至少两个同心圆的径向逐渐减少；同时在每个所述口袋中放置的衬底上的氮化铝层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，形成氮化镓基发光二极管外延片。
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