[发明专利]提升平面IGBT良率的方法及制造其的中间产品在审
| 申请号： | 201811052377.6 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110890278A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 王西政;王鹏 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;秦晶晶 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提升平面IGBT良率的方法及制造其的中间产品，其中，方法包括对硅片上的多晶硅层进行掺杂；在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层。本发明在多晶硅层的相关工艺完成后，在多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层，从而在P型结高温推进的过程中，能够避免硅片正反面的多晶硅层里高浓度N型杂质扩散到P型深结区中，也就避免了由于N型杂质的引入，所导致的较高的反向击穿漏电流以及较低的反向击穿电压，提高了平面IGBT的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 平面 igbt 方法 制造 中间 产品 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
