[发明专利]提升平面IGBT良率的方法及制造其的中间产品在审
| 申请号： | 201811052377.6 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110890278A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 王西政;王鹏 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;秦晶晶 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提升 平面 igbt 方法 制造 中间 产品 | ||
1.一种提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，所述方法包括：
对硅片上的多晶硅层进行掺杂；
在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层。
2.如权利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，所述在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层的步骤包括：
在常压环境中生长所述第一薄氧化层。
3.如权利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，所述在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层的步骤包括：
通过低温氧化的方式生长所述第一薄氧化层。
4.如权利要求3所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，在900-950℃的范围内生长所述第一薄氧化层。
5.如权利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，所述第一薄氧化层的厚度为150-250埃。
6.如权利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，在所述在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层的步骤之后，所述方法还包括：
对所述硅片进行光刻、刻蚀、离子注入、推结，以形成平面IGBT。
7.如权利要求6所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，当对多个所述硅片进行推结时，所述对所述硅片进行推结的步骤包括：
对多个依次摆放的所述硅片进行推结，其中，每一所述硅片的扩散区的朝向相同。
8.如权利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，在所述在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层的步骤之前，所述方法还包括：
在经掺杂的所述多晶硅层的表面上进行湿法腐蚀，以去除硼硅玻璃。
9.如权利要求1所述的提升平面IGBT良率的方法，其特征在于，在所述对硅片上的多晶硅层进行掺杂的步骤之前，所述方法还包括：
在所述硅片的表面上生长第二薄氧化层；
在所述第二薄氧化层的表面上淀积所述多晶硅层。
10.一种用于制造平面IGBT的中间产品，其特征在于，所述中间产品包括硅片、生长于所述硅片表面上的第二薄氧化层、生长于所述第二薄氧化层表面上的多晶硅层、以及生长于所述多晶硅层表面上的第一薄氧化层，其中，所述第一薄氧化层采用如权利要求1-5中任一项所述的提升平面IGBT良率的方法制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
