[发明专利]提升平面IGBT良率的方法及制造其的中间产品

说明书

本发明公开了一种提升平面IGBT良率的方法及制造其的中间产品，其中，方法包括对硅片上的多晶硅层进行掺杂；在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层。本发明在多晶硅层的相关工艺完成后，在多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层，从而在P型结高温推进的过程中，能够避免硅片正反面的多晶硅层里高浓度N型杂质扩散到P型深结区中，也就避免了由于N型杂质的引入，所导致的较高的反向击穿漏电流以及较低的反向击穿电压，提高了平面IGBT的良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种提升平面IGBT良率的方法及制造其的中间产品。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)综合了BJT(Bipolar Junction Transistor，双极型三极管)和MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，金氧半场效晶体管)的优点，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点，在轨道交通、航空航天等领域得到广泛的应用。但是，传统的IGBT的良率难以维持在一较高水平，这限制了IGBT优异性能的发挥。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中IGBT的良率偏低的缺陷，提供一种提升平面IGBT良率的方法及制造其的中间产品。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

一种提升平面IGBT良率的方法，其特点在于，所述方法包括：

对硅片上的多晶硅层进行掺杂；

在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层。

较佳地，所述在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层的步骤包括：

在常压环境中生长所述第一薄氧化层。

较佳地，所述在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层的步骤包括：

通过低温氧化的方式生长所述第一薄氧化层。

较佳地，在900-950℃的范围内生长所述第一薄氧化层。

较佳地，所述第一薄氧化层的厚度为150-250埃。

较佳地，在所述在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层的步骤之后，所述方法还包括：

对所述硅片进行光刻、刻蚀、离子注入、推结，以形成平面IGBT。

较佳地，当对多个所述硅片进行推结时，所述对所述硅片进行推结的步骤包括：

对多个依次摆放的所述硅片进行推结，其中，每一所述硅片的扩散区的朝向相同。

较佳地，在所述在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层的步骤之前，所述方法还包括：

在经掺杂的所述多晶硅层的表面上进行湿法腐蚀，以去除硼硅玻璃。

较佳地，在所述对硅片上的多晶硅层进行掺杂的步骤之前，所述方法还包括：

在所述硅片的表面上生长第二薄氧化层；

在所述第二薄氧化层的表面上淀积所述多晶硅层。

一种用于制造平面IGBT的中间产品，其特点在于，所述中间产品包括硅片、生长于所述硅片表面上的第二薄氧化层、生长于所述第二薄氧化层表面上的多晶硅层、以及生长于所述多晶硅层表面上的第一薄氧化层，其中，所述第一薄氧化层采用上述任一种提升平面IGBT良率的方法制成。